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          1. 產品信息

            4H 半絕緣型

            SiC單晶襯底

            4H Semi-Insulating

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            當前位置 >4H-半絕緣型襯底
            天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
            更好的滿足客戶的需求
            目前可批量供應4&6英寸產品
            8英寸產品正在研發中

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            基本信息

            半絕緣型
            • 晶型 4H
            • 直徑(mm) 100 & 150
            • 偏角(°) 0
            • 厚度(μm) 500
            • 表面狀態 Epi-ready

            微波射頻器件

            通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等微波射頻器件,應用于信息通訊、無線電探測等領域。

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