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          1. 產品信息

            4H 導電型

            SiC單晶襯底

            4H n-type

            當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底
            天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
            更好的滿足客戶的需求
            目前可批量供應6英寸產品
            8英寸產品正在研發中

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            基本信息

            導電型
            • 晶型 4H
            • 直徑(mm) 150
            • 偏角(°) 4
            • 厚度(μm) 350
            • 表面狀態 Epi-ready

            電力電子器件

            通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層,制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應用在新能源汽車,軌道交通以及大功率輸電變電等領域。
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